三极管的原理

  以NPN三极管为例：
在制作的时候，发射区通过参杂使电子浓度做的很大，基区的空穴浓度做的很小，而且很薄，容易穿透。
当发射结正向偏置的时候，发射区的电子向基区涌，与空穴进行复合，这时形成了一个与电子移动方向相反的电流IE。
由于发射区电子浓度做的很大，基区空穴浓度小，而且容易穿透，所以在集电结反向偏置的时候（可靠截至），从发射区涌来的电子，穿过了基区，而到达了集电区，形成了与电子移动相反的电流IC。
基区被复合掉的空穴又被源源不断的补给上了，形成了与空穴移动方向相同的电流IB。
通过上面的分析，你可以看出来，只需使基极有一个很小的电流，就会激发发射区的大量高浓度电子向集电区涌，如果发射区的电子没有被激发到极限的时候，此时三极管工作在放大状态。
如果发射区的电子被激发到了极限，集电区的电子达到了饱和，三极管就工作在饱和状态。
如果基极的空穴没有及时补给，也就是IB=0时，三极管工作在截至状态。