功率MOS管ID电流也有正温度系数

吴善龙

大家都知道普通晶体管---双极型晶体管，是靠少数载流子导电，而少数载流子对温度特别敏感，当温度升高时，少数载流子显著增加，造成管子IC大增，电流增大又反过来引起管子温度升高------电流增大。这是一个正反馈--------恶性循环的过程，，出现热击穿，导致管子最后损坏。

大量的MOS功率管技术说明中，都声称MOS管的ID电流具有负温度系数，即：当MOS管的电流增大时，MOS管的内阻随之增大，这将反过来抑制ID电流的增大，因此认为MOS管的ID具有负温度系数。由此推导出MOS不会出现温度热击穿。

上述分析，是假设MOS功率管工作在开关状态，即MOS管工作在开关电源中，MOS管工作在一会饱和导通，一会截止状态。此时MOS管的功耗主要是开启损耗和关断损耗，MOS管在关断后因为没有电流是没有功耗的，MOS管在饱和导通时由于内阻极小，几乎没有压降，功耗很小可以忽略的。

而很多实际的电路，是让MOS功率管工作在半导通的线性工作区。此时MOS功率管既有想当大的电流，也有想当高的压降，此时MOS管功耗很大，管芯发热量很大，很热，这引起半导体硅材料载流子本征激发过多，MOS管电流增大，电流增大又反过来引起管子温度升高-------电流增大------恶性循环导致热击穿。

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